Exercices et problèmes d'électronique : Avec rappels de by Yves Granjon

By Yves Granjon

Cet ouvrage se suggest d'accompagner l'étudiant en Licence dans son assimilation des connaissances de base en électronique : jonction PN, diodes à semi-conducteurs, composants électroniques, amplificateurs, filtrage, circuits logiques
Dans chaque chapitre, le lecteur trouvera :
- Un rappel de cours concis.
- Des énoncés d'exercices classés par ordre de trickyé croissante et qui suivent l'ordre d'exposition des notions dans le cours. Une rubrique «Du mal à démarrer ?» : pour chaque query, une indication est proposée afin d'aider l'élève à démarrer l. a. résolution de l'exercice.
- Les options détaillées des exercices. A l. a. fin de chaque resolution, une rubrique «Ce qu'il faut retenir de cet exercice» suggest un bilan méthodologique.

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Les troubles du sommeil

Ce livre fait le element sur les différents problems : insomnie, hypersomnie, problems du rythme circadien, parasomnie, après avoir rappelé en détail les features neurobiologiques et physiologiques du sommeil basic chez l'enfant,l'adulte et le sujet âgé et exposé les différentes méthode d'exploration. Enfin, le dernier chapitre fait le lien entre les issues du sommeil et les différentes spécialités médicales : neurologie, cardiologie, pneumologie, pédiatrie, psychiatrie, infectiologie, ORL, rhumatologie, immunologie.

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En utilisant le modèle avec résistance dynamique, on a : Copyright © 2010 Dunod. P = ( Vs + rdI)I = (0,7 + 3 x 25 x 10~3) x 25 x 10_3 = 19,3 mW . En utilisant le modèle de la diode parfaite, on obtient : P = VSI = 0,7 x 25 x 10~3 = 17,5 mW . Avec le modèle réel : P = Vf = V()l n ^ ^ / = 18,8 mA. 18 Corrigés des exercices Ce q u ’il faut retenir de cet exercice Les écarts entre les différentes valeurs sont somme toute assez faibles. 9 a), puisqu’aucune différence notable de précision n ’est relevée à l’aide des deux modèles plus fins.

La polarisation du transistor est une étape préalable à son fonctionnement en régime variable, que nous aborderons au chapitre suivant. 1 LE TRA N SISTO R BIPO LA IRE Un transistor bipolaire est formé d ’un cristal de silicium comportant trois zones de dopage distinctes. 1), les transistors sont dits N PN ou PNP. 1 Ces trois zones correspondent aux trois bornes du transistor : le collecteur, la base et l’émetteur. Copyright © 2010 Dunod. 1 puisse le laisser penser, la structure d’un transistor n’est pas symétrique.

Le courant de collecteur vaut donc : O r\i © U Vq - VCE = 10 - 10J x 93 x 10_J = -8 3 V. TJ C7> > CL O On en déduit alors : VCE = Ir = cc fl/ 10 = 10 mA. io3 L ’égalité /c = p /B n ’est plus vérifiée. 3 Û 39 2 . La polarisation du transistor bipolaire Ce q u ’il faut retenir de cet exercice Pour montrer q u ’un transistor est saturé, il suffit de supposer q u ’il ne l’est pas et d ’invalider l’hypothèse de départ en mettant en évidence une absurdité. Ici, c ’est la valeur de VCE qui n ’est pas plausible.

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