Digitalschaltungen: Eine Einführung by Professor Dr.-Ing. Wilhelm Jutzi (auth.)

By Professor Dr.-Ing. Wilhelm Jutzi (auth.)

Das Lehrbuch führt in die digitale Schaltungstechnik mit den am meisten eingesetzten Silizium-Bauelementen ein. Es werden die wesentlichen Gesichtspunkte bei der Auslegung von integrierten Bauelementen und Schaltungen auf der foundation der Silizium-Technologie graphisch verdeutlicht und durch Aufsichten und Querschnitte erläutert. Möglichkeiten und Grenzen der Großintegration werden aufgezeigt. Probleme der Wärmeabfuhr und der Verbindungstechnik zwischen nichtlinearen Bausteinen, die mit zunehmender Übertragungsgeschwindigkeit nicht mehr zu vernachlässigen sind, bleiben nicht unerwähnt. Das Buch eignet sich für Vorlesungen des three. Semesters Elektrotechnik.

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Entwicklung einer flexibel automatisierten Nähanlage

Die vorliegende Arbeit entstand wiihrend meiner Tatigkeit als wissenschaftlicher Mitarbeiter am Fraunhofer-Institut fUr Produktionstechnik und Automatisierung (IPA), Stuttgart. Herrn Professor Dr. -Ing. Dr. h. c. mult. H. J. Warnecke danke ich fiir seine wohlwollende Unterstiitzung und Forderung der Arbeit.

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Beispielsweise gilt UBE = -UEB . ,----.... 18 Transistorsymbole. a) npn - Transistor; b) pnp - Transistor 30 2 Halbleiterschalter _-t---oOc Eo---4-..... 17 als Vierpol aufgefaBt werden. Man spricht von einer Basisschaltung, wenn der BasisanschluB die durchgehende Elektrode zwischen Eingang und Ausgang ist. 20 zu sehen, die jeweils verschiedene Eigenschaften haben. Die Beschreibung der Transistoreigenschaften ist in der Regel mit einigem Aufwand verbunden, da Eingangs- und AusgangsgrOBen in nichtlinearer Weise zusammenhangen.

Die Sattigungszeitkonstante laBt sich nur sehr schwer aus der Geometrie und der Dotierung der Transistoren berechnen. 16 die Dotierung des Emitters an der 46 2 Halbleiterschalter Oberflache am groBten und die des Kollektors am niedrigsten ist, da das Dotierungsprofil durch Diffusion von der Halbleiteroberflache aus hergestellt wird. Fur diese unsymmetrischen vertikalen Transistoren gilt Bi «Bn » 1 und 'tBn"'" 'tBi und damit nach Gl. 65) von den Eigenschaften des inversen Transistors uberwiegend bestimmt wird.

Gegen niedrige Frequenzen wird die Stromverstarkung 13 durch 130 bestimmt. h. fur 1 « O>tBI30, nimmt die Stromverstarkung 13 mit 1/0> abo Auf doppellogarithmischem Papier ergibt sich eine Steigung von -1. -------31 fp fa. 27 Graphische Bestimmung der Grenzfrequenz mit Hilfe der doppellogaritbmischen Darstellung des Frequenzganges der Stromverstarkung Man spricht auch von einem Abfall mit 6 dB pro Oktave oder 20 dB pro Dekade. h. urn 3 dB abgesunken ist. Nach G1. 39) Die 3 dB. Grenzfrequenz der Stromverstarkung in Basis-Schaltung a llil3t sich aus der Stromverstarkung in Emitterschaltung nach G1.

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